人工智能（AI）热潮持续推高记忆体需求，韩国半导体巨头SK海力士宣布大举扩充产能，计划投入54兆韩元（约1780亿令吉），在韩国建设及扩建两座记忆体制造设施，显示业者正提前为未来数年的AI硬件需求做准备。
根据公司规划，约三分之二资金将投向DRAM产线，其中龙仁Y2工厂预计明年7月动工，目标在2029年6月启用首个无尘室，主要生产高带宽记忆体（HBM）及新一代DRAM；清州M17工厂则预计明年2月开工，首个无尘室计划于2028年底启用，整体投资预计持续至2031年4月。
此次扩产并非只针对传统记忆体需求，SK海力士也将布局超低延迟DRAM及能够快速处理大量资料的固态储存技术。随着AI运算、资料中心及相关设备持续扩大，对高效能记忆体的需求同步增加，业者认为未来能否在需求高峰期间及时提供足够产能，将成为半导体厂商争夺市场的重要因素。
不过，SK海力士扩大投资之际，也面对三星电子重新夺回DRAM龙头位置的压力。Counterpoint Research数据显示，三星今年第二季重新成为全球DRAM市场占有率最高的厂商。该机构共同创办人Neil Shah认为，SK海力士此次投资将进一步推高资本支出，但短期内不会立即转化为大量新增产量，真正的战略影响预计要到2029年以后才会更加明显。
从全球供应情况来看，三星、SK海力士、美光及长鑫存储等主要业者都在扩大生产规模，预计全球记忆体供应量将持续增加至2028年。不过，由于AI相关需求增长速度目前仍高于新增产能释放速度，分析认为记忆体价格在2028年底前出现大幅下跌的可能性有限。SK海力士此次押注的核心，正是提前锁定未来AI时代对记忆体容量与性能不断增加的需求。
