SK海力士（SK Hynix）周四在美国印第安纳州西拉法叶举行先进存储芯片封装厂奠基仪式，投资规模超过40亿美元（约160亿8000万令吉）。这座占地133.5英亩的设施将成为SK海力士在美国首个高带宽存储器（HBM）封装基地，也是美国推动关键芯片供应链本土化的重要项目之一。
公司总执行长郭鲁正在仪式上透露，工厂洁净室预计于2028年10月启用，下一代HBM则计划从2029年下半年开始量产。基地全面运作后预计聘用约1000人，并通过建设、运营及相关产业带动约7000个直接与间接就业机会。
HBM是人工智能（AI）加速器的重要零部件，随着AI基础设施需求持续扩大，相关存储芯片的重要性也不断提高。SK海力士目前是全球第二大存储芯片制造商，其HBM业务增长也推动公司成为韩国市值第二大的企业，仅次于三星电子。
SK海力士表示，韩国生产的晶圆未来将运往印第安纳州完成封装和测试，再供应给美国客户。公司认为，这项布局能够进一步强化美国本土AI芯片供应链。与此同时，公司也与附近的普渡大学展开合作，针对HBM、系统集成及先进封装技术进行研究，并将在生产设施旁设立研发测试平台。
郭鲁正还透露，公司正在评估进一步扩大与日本存储芯片产业客户及供应商的合作，并研究共同拓展NAND闪存业务。至于SK海力士目前通过间接方式持有日本存储芯片厂商铠侠的大笔权益，他表示，公司现阶段“没有任何既定计划”。
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