近日，中国工业和信息化部发布通知，揭示了国内半导体制造领域的重大突破。根据公布的「首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）」，中国已成功研发出可用于生产8纳米及以下芯片的深紫外光刻机（DUV）。
该目录列出了一款”氟化氩光刻机”，其核心技术指标包括300毫米晶圆直径、248纳米照明波长、不大于65纳米的分辨率，以及不大于8纳米的套刻能力。这意味着中国已具备生产先进芯片的关键设备。
工信部强调，重大技术装备对国家综合实力和安全至关重要。该目录旨在推广具有自主知识产权、尚未广泛应用的创新装备，涵盖整机设备、核心系统和关键零部件等。
此消息引发了国内科技界的热烈讨论。虽然与全球领先的荷兰ASML公司的设备相比仍有差距，但这一突破填补了中国在该领域的空白，为未来发展更先进的极紫外光刻机（EUV）奠定了基础。
值得注意的是，这一进展出现在美国和荷兰近期收紧半导体设备出口管制的背景下。如果中国确实实现了国产8纳米及以下制程DUV的量产，将大大减少对进口设备的依赖。
然而，截至目前，中国官方和相关企业尚未正式确认这一消息。业界期待着更多细节和实际应用的进一步披露。